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BSC042N03LSGATMA1  与  BSC883N03LS G  区别

型号 BSC042N03LSGATMA1 BSC883N03LS G
唯样编号 A-BSC042N03LSGATMA1 A-BSC883N03LS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),57W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 3.8mΩ
上升时间 - 4.4ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 3500pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 20V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 42nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 98A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 4.2 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 4ns
高度 - 1.27mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 34V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
典型关闭延迟时间 - 26ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - BSC883N03
25°C时电流-连续漏极(Id) 20A(Ta),93A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 6.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC042N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
50: ¥3.7564
100: ¥3.191
300: ¥2.8173
500: ¥2.7406
1,000: ¥2.6831
2,500 对比
RS1E200GNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

20A 3W 4.6mΩ 30V 2.5V HSOP-8 N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 53 对比
RS1E200BNTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 20A(Ta) ±20V 3W(Ta),25W(Tc) 3.9mΩ@20A,10V 150°C(TJ) 8-PowerTDFN

¥5.462 

阶梯数 价格
30: ¥5.462
30 对比
BSC883N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC883N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC883N03LS G Infineon 功率MOSFET

BSC883N03LSGATMA1_34V 98A 3.8mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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